Описание
Технические характеристики изделия:
1 Материал: Кремний высокой чистоты
2 размера: 2 дюйма
3 диаметр и допуск: 50,8 ± 0,3 мм
4 Толщина: 270um
5 Модель: N тип
6 сопротивление: 1-10/Ω ● см
7 направление: <100>
8 полированных: двухсторонний полированный
9. основные области применения: PVD/CVD покрытие подложки, магнетронное распыление, XRD, SEM, образец атомной силы роста, инфракрасная спектроскопия, флуоресцентный спектроскопический анализ подложки, подложка, Молекулярный луч эптриосного роста полупроводникового кристаллического рентгеновского анализа.
Характеристики
- Габаритные размеры
- diameter * thickness = 50.8mm * 270um
- Стандартный
- GB
- Номер модели
- Crystal orientation 100/ Model N
- Наличие стандарта
- Стандарт
- Материал
- Monocrystalline silicon